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퀄컴, 삼성 10nm FinFET 공정 기술 생산 차세대 스냅드래곤 835 칩 공식 발표

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퀄컴은 목요일 (미국시각) 삼성 10nm FinFET 공정 기술로 생산하는 차세대 스냅드래곤 835 칩을 공식 발표했다. 퀄컴은 이 새로운 SoC가 삼성의 10nm FinFET 공정 기술을 채용해, 이전 버전에 비해 성능은 27% 향상되고, 전력효율은 40% 향상된다고 말했다. 그리고 면적효율도 30% 향상되었다고 말했다.

이는 이 SoC를 장착한 기기들이 14nm 공정 기술을 채용한 스냅드래곤 820 SoC를 장착한 기기들보다 더 작아지고, 더 오래 사용할 수 있다는 것을 의미한다.

퀄컴은 스냅드래곤 835 칩 발표와 함께 USB-C 기반 고속충전 4.0도 발표했다. 고속충전 4.0은 단지 5분 충전으로 폰을 5시간을 사용할 수 있게 한다. 퀄컴은 스냅드래곤 835 SoC를 장착한 스마트폰들이 언제 출시될지에 대해서는 밝히지 않았지만, 아마도 갤럭시 S8을 포함해 내년 초부터 시장에 나올 것으로 예상된다.

소스: Phandroid

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