삼성, 7nm부터 3nm까지 자사 파운드리 로드맵 공개

삼성, 7nm부터 3nm까지 자사 파운드리 로드맵 공개

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AnandTech은 목요일(미국시각) 삼성이 캘리포니아 산타 클라라에서 진행 중인삼성 파운드리 포럼에서 7nm부터 3nm까지 자사 파운드리 로드맵을 공개했다고 전했다.

삼성은 올 하반기 중 EUV 기반 7LPP(Low Power Plus) 공정 기술을 사용한 칩의 리스크 생산을 시작할 것이라고 말했다. 한편 경쟁업체 TSMC는 내년 중 EUV 기반 7LPP 공정 기술을 사용한 칩을 출시할 예정이다.

삼성은 또한 5LPP/6LPP는 건너 뛰고 2019년 하반기에 5LPE(5nm Low Power Early)를 공개할 예정이다. 그리고 2020년 하반기 혹은 2021년 전반기에는 4LPE를 공개하고 2022년에는 4LPP를 공개할 예정이다.

삼성은 2022년 이후에 GAAFET 기술을 사용한 3nm 칩을 공개할 예정인데, 이는 이전까지 사용했던 FinFET 기술에서 GAAFET으로 이동하는 것을 뜻한다.

3GAAE/3GAAP(3nm gate-all-around early/plus)는 삼성이 금주 발표한 최첨단 공정 기술로, 경쟁업체 TSMC가 아직 발표하지 않은 기술이다.

소스: AnandTech

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