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스냅드레곤 835

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갤럭시 노트 8 컨셉 이미지
 
WccfTech은 월요일(미국시각) 중국 마이크로블로그 사이트 웨이보를 인용해 올 가을에 출시될 예정인 갤럭시 노트 8이 6.3인치 디스플레이와 듀얼 카메라를 제공할 것이라고 전했다.

웨이보는 갤럭시 노트 8의 스크린은 6.3인치가 될 것이라고 말했는데, 이는 갤럭시 S8+보다 0.1인치 더 큰 것이다. 그러나 웨이보는 이 디스플레이의 해상도에 대해서는 밝히지 않았다.

삼성은 이미 10nm FinFET LPP 공정 기술을 개발 중에 있기 때문에 갤럭시 노트 8은 갤럭시 S8에 채용된 스냅드래곤 835와 엑시노스 8895보다 더 향상된 성능과 전력효율을 제공하는 칩을 장착할 것으로 예상된다.

소스: WccfTech

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SamMobile은 토요일(미국시각) 삼성이 갤럭시 S8 사양에서 조용히 UFS 2.1 스토리지에 대한 언급을 삭제했다고 전했다. 삼성은 갤럭시 S8에 스냅드래곤 835와 엑시노스 8895 칩을 겸용하고 있다.

뿐만 아니라 카메라 센서도 소니와 삼성 시스템 LSI의 두 버전을 사용하고 있다. 그러나 갤럭시 S8이 출시된 직후 스토리지도 삼성과 도시바 제품 두 버전을 사용하고 있는 것으로 나타났다.

[이전]

[이후]

삼성은 갤럭시 S8과 S8+가 더 빠른 UFS 2.1 스토리지 칩을 채용하고 있다고 광고했음에도 불구하고, 일부 폰에 더 느린 UFS 2.0을 채용했다. XDA 개발자 포럼에 따르면, 삼성은 갤럭시 S8의 스냅드래곤 835 일부 버전에 UFS 2.0 칩을 채용한 것으로 나타났다.

이 문제가 제기된 후, 삼성은 자사 사양 페이지에서 조용히 UFS 2.1 스토리지에 대한 언급을 삭제했다. UFS 2.1의 연속 읽기속도는 약 800MB/s인 반면에, UFS 2.0은 약 500MB/s로 큰 차이가 있다. 그러나 실제 사용시 체감속도는 큰 차이가 없다.

소스: SamMobile

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폰아레나는 화요일 (미국시각) 러시아 사이트를 통해 HMD 글로벌이 MWC에서 고사양 스냅드래곤 835 기반 안드로이드 폰 노키아 P1을 발표할 것이라고 전했다.

the-nokia-p1-could-be-based-on-this-sharp-aquos-xx3-phone-1

러시아 사이트는 이 폰이 약 6개월 전 일본에 출시한 샤프 Aquos Xx3에 기반하지만, 사양이 더 향상될 것이라고 말했다. 노키아 P1은 퀄컴 스냅드레곤 835 칩, 6GB 램, 최대 256GB 내장 스토리지, 22.6메가픽셀 카메라, 짜이쯔 인증 렌즈, IP57 빙진 및 방수 등을 제공한다.

그리고 5.3인치 디스플레이 (1080p 해상도 혹은 1440 x 2560 해상도)와 지문인식 센서 그리고 3500mAh 배터리와 고속충전과 안드로이드 7.0 누가 등을 제공한다.

이 폰의 가격은 128GB 모델이 $800 그리고 256GB 모델은 $950이 될 것으로 알려졌다.

소스: 폰아레나

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AnandTech은 수요일 (미국시각) SK 하이닉스가 세계최대 용량 초저전력 8GB LPDDR4X-4266 모바일 DRAM 패키지를 발표했다고 전했다. 업계최초 8GB LPDDR4X DRAM 패키지는 차세대 모바일 기기 용으로 DRAM 성능을 향상시킬 뿐만 아니라, 낮은 I/O 전압으로 인해 전력소모도 줄인다.

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SK 하이닉스는 이미 파트너들에게 샘플을 배송했고, 이 메모리를 채용한 제품들이 수 개월 내에 시장에 출시될 것이라고 말했다. 새로운 메모리를 채용하는 첫 AP는 미디어텍의 헬리오 P20으로, 2017년 1분기에 출시될 예정이다. 그리고 LPDDR4X를 지원하는 다른 SoC는 퀄컴의 새로운 플랙십 스냅드래곤 835이다.

소스: AnandTech

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