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10nm

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애플 인사이더는 월요일(미국시각) TSMC가 설립자 겸 회장 모리스 장의 은퇴와 함께 세계최초 3nm 공장 설립 계획을 발표했다고 전했다. TSMC는 이전에 빠르면 2022년까지 3nm 혹은 5nm 설비를 건설할 계획이라고 말한 바 있다.

애플iPhone 8과 X에 채용된 A11 바이오닉 프로세서는 10nm 아키텍처이고 이는 A10의 16nm 공정에서 업그레이드된 것이다. 더 낮은 공정 기술은 다이의 크기를 줄일 뿐만 아니라 성능과 전력효율도 향상시킨다.

애플과 TSMC는 내년도 A12 칩에 7nm 공정을 사용할 예정이다. 이와 별도로 로이터는 오늘 설립자 겸 회장 모리스 장이 2018년 6월까지 은퇴할 것이라고 말했다. 그의 뒤를 이어 회장은 마크 리우가 CEO는 C.C. 웨이가 맡을 것이다.

소스: 애플 인사이더

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SammyHub는 일요일(미국시각) 삼성이 중급 및 고급 기기들에 11nm 칩을 장착할 것이라고 전했다. 삼성은 오늘 자사 파운드리 공정 포트폴리오에 11nm FinFET 공정 기술을 추가한다고 발표했다.

삼성의 새로운 11LLP는 기존 14nm 칩과 비교할 때 성능은 15% 향상되고 다이 사이즈는 10% 줄어든다. 그리고 전력소모도 10% 감소된다.

이 칩은 내년 전반기에 중급 및 고급 기기들에 장착될 예정이고, 기존 10nm FinFET 기반 칩은 프리미엄 기기들에 장착된다. 삼성은 2018년 하반기에 EUV 식각기술과 함께 7nm LPP 칩을 론칭할 예정이다.

소스: SammyHub

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테크레이더는 월요일(미국시각) 삼성이 차세대 기어 VR일 수도 있는 독립 VR 헤드셋 프로토타입을 공개했다고 전했다. 한국 미래창조과학부(MSIP)는 오늘 삼성이 비주얼 캠프로 불리는 업체의 추적 기술을 사용한 올-인-원 헤드 마운트 VR 디스플레이를 개발하고 있다고 발표했다.

“엑시노스 VR III”(삼성 엑시노스 프로세서 라인과 관련됨)라는 라벨이 붙여진 이 헤드셋은 사용자의 안구만 추적할 뿐만 아니라 손도 추적하며 또한 음성과 표정 인식도 지원한다.

보도 자료에 따르면, 헤드셋의 안구 추적 기능은 사용자가 보고있는 영역에서만 그래픽이 초점을 맞추는 프로세스인 “포버티드 렌더링”에서 매우 중요하다. 이는 보다 부드러운 VR 경험과 완전한 360도 텍스처로부터 더 적은 회로 고장을 제공한다.

삼성은 올 봄 HTC Vive와 경쟁할 적어도 1개의 올-인-원 헤드셋을 내놓을 것을 확인해 주었다. 이 컨셉은 올해 MWC에서 비공개로 시연된 것으로 알려졌다. 그리고 이 헤드셋은 새로운 10nm 엑시노스 9 모바일 칩으로 구동되는 것으로 알려졌으나 아직 확인된 바는 없다.

한편 HTC도 스마트폰이나 PC를 필요로 하지 않는 VR 헤드셋을 준비하고 있다고 말했다. 아마도 삼성은 이 올-인-원 VR 헤드셋을 올 9월 IFA에서 공식 공개할 수도 있다.

소스: 테크레이더

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CNET은 월요일(미국시각) IBM과 삼성이 같은 전력소모로 40% 성능향상을 제공하는 ‘나노시트’로 불리는 세계최초 5nm 칩을 일본 프로세서 컨퍼런스에서 발표했다고 전했다.

현재 최첨단 칩은 10nm 기반이고, 칩 제조업체들이 갭라하고 있는 차세대 칩은 7nm이다. 그러나 IBM과 삼성은 7nm 한 세대를 뛰어넘어 5nm로 간 것이다.

이는 기존 기술에 비해 한 칩에 트랜지스터 집적 밀도가 4배 증가된 것으로, IBM 반도체 통합 기기 연구 디렉터 휘밍 부는 “나노시트 기반 5nm 칩은 밀도와 함께 성능과 전력 (향상)을 제공한다”고 말했다.

IBM은 또한 새로운 공정 비용이 기존 트랜지스터 디자인의 칩보다 비싸지 않다고 말했다. 그러나 이 공정이 칩 제조업체로 하여금 수년 간 기다리도록 하는 것이 비싼 값이라고 말했다. 이는 익스트림 울트라바이올렛(EUV) 노광장비의 사용 때문이다.

트랜지스터 설계의 핵심 부분은 게이트라고하며, 이는 전류를 차단하거나 흐르게 하는 요소이다. 수십 년 동안 트랜지스터는 평평했으며 게이트는 전류가 흐르는 채널의 상단에 자리 잡고 있었다. 트랜지스터를 더 줄이기 위해 칩 제조업체들은 채널이 기판에서 수직으로 위로 튀어 나오게 하는 핀 디자인으로 이동했다.

칩을 더 줄이기 위해 IBM과 삼성은 게이트와 채널 간의 접촉을 향상시키는 방법을 찾아야 했다. 최종 결과는 게이트가 채널을 완전히 둘러 쌀 수 있는 방법을 제공하는 나노시트이다. 여러 개로 완전히 둘러싸인 채널이 각 트랜지스터에 대해 병렬로 나란히 실행된다고 부는 말했다. 그러나 부는 “양산까지는 몇 년 걸릴 수 있다”고 말했다.

소스: CNET

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GSMDome은 금요일(미국시각) Elephone S8의 핸즈-온 사진이 유출되었고, 에지 투 에지 스크린을 보여주고 있다고 전했다. Elephone S8은 샤오미 폰과 아주 흡사해, 하단 베젤을 제외하고는 다른 3면은 거의 무베젤의 디자인을 택했다.

그리고 하단 베젤에는 홈 버튼과 지문인식 센서가 장착된 것으로 나타났다. Elephone S8은 10nm 기반 미디어텍 헬리오 X30 프로세서를 장착했다.

소스: GSMDome

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GSM 아레나는 금요일(미국시각) 미디어텍과 TSMC가 7nm 기반 12코어 칩을 준비하고 있다고 전했다. 미디어텍은 작년 여름 10nm 기반 헬리오 X30 칩을 발표했고, 이 칩은 올해 2분기에 나올 것이라고 말했다.

이제 미디어텍은 차세대 칩을 준비하고 있다. 새로운 칩은 7nm 기반으로 12코어를 장착하는 것으로 알려졌다. 참고로 X30 칩은 10코어를 장착했다.

TSMC의 10nm 공정 수율이 예상보다 낮음에도 불구하고, 미디어텍은 차세대 칩을 TSMC와 함께 준비하고 있는 것이다.

소스: GSM 아레나

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디지타임즈는 목요일(타이완시각) 업계 소스들을 통해, TSMC와 삼성의 10nm 수율이 아직 만족할만한 수준이 아니라고 전했다. 소스들은 TSMC의 10nm 공정 기술의 수율이 너무 낮아 채산성이 맞지 않는다고 말했다.

이로 인해 TSMC가 10nm 공정으로 생산하는 미디어텍의 헬리오 X30 SoC의 출하 일정이 지연되고 있다고 소스들은 말했다. 미디어텍은 MWC 2017에서 자사 최초 10nm SoC 헹리오 X30 시리즈를 론칭했다. 미디어텍은 이 칩이 올해 2분기에 출시될 것으로 예상했다.

그러나 미디어텍 COO 제퍼리 쥐는 최근 니케이와 인터뷰에서 10nm 공정 기술의 수율이 아직 만족할만한 수준에 도달하지 못해 헬리오 X30 칩이 약간 지연될 것이라고 말했다.

이에 더해 소스들은 삼성의 10nm 공정 기술의 수율도 낮아 퀄컴 스냅드래곤 835 칩과 엑시노스 8895 칩의 생산에 영향을 끼치고 있고, 이는 갤럭시 S8의 출시 지연에 일부 요인이라고 말했다.

만일 TSMC와 삼성 파운드리가 2분기에 10nm 수율을 향상시킨다면, 10nm 칩을 채용한 스마트폰은 2분기 전체 스마트폰 출하량의 10%를 차지할 것이라고 소스들은 말했다. 그리고 이같은 비율은 3분기까지 크게 향상될 가능성이 높지 않다고 말했다.

소스: 디지타임즈

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WccfTech은 금요일(미국시각) TSMC 회장 마크 리우를 인용해 애플 10nm A11 칩의 배송 준비가 되었다고 전했다. 올해 초 삼성과 TSMC 모두 10nm 칩 생산에 문제가 있는 것으로 알려졌고, 이는 2017년 플략십 스마트폰 출시에 영향을 미칠 수도 있다는 의견도 조심스럽게 나왔다. 그러나 삼성이 먼저 문제를 해결해 10nm 기반 스냅드래곤 835 SoC의 양산을 발표했다.

따라서 다른 경쟁 파운드리인 TSMC의 귀추가 주목되었는데, TSMC는 오늘 애플 A11 칩의 생산이 예정되로 시작되고, 곧 애플에게 배송이 시작될 것이라고 말했다. 뿐만 아니라 리우는 자사가 5nm 생산을 2019년 전반기에 시작할 것이라고 말했다. 그리고 자사의 3nm 게획도 공개했다.

그는 자사가 6000명의 연구개발 인력을 5nm 공정기술에 투입하고 있고 3nm 개발에 대해서도 아주 낙관적이라고 말했다. 3nm 공정기술 개발을 위해 수백명의 엔지니어들이 투입되었다고 말했다.

소스: WccfTech

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Ars Technica는 월요일 (영국시각) 인텔이 올 하반기에 14nm 기반 8세대 커피레이크 칩을 출시할 것이라고 전했다. 이는 작년에 유출되었던 인텔의 로드맵보다 당겨진 것이다. 유출 로드맵에 따르면, 8세대 커피레이크 칩은 2018년에 출시되는 것으로 나타났다.

그러나 지난주 인텔은 투자자 날에 8세대 칩이 브로드웰, 스카이레이크, 카비레이크와 마찬가지로 여전히 14nm 공정에 기반할 것이라고 말했다.

인텔은 2016년 초 공식적으로 이전의 “틱-톡” 전략을 포기했다. “틱”은 다이 사이즈가 줄어드는 것을 의미하고, “톡”은 새로운 마이크로아키텍처를 뜻한다. 대신에 인텔은 공정, 아키텍처, 최적화 등 3단계 모델을 약속했다. 그러나 커피레이크는 이 3단계 모델조차도 포기하는 것이다.

실제로 브로드웰은 공정, 스카이레이크는 아키텍처 그리고 카비레이크는 최적화를 뜻하고, 14nm 커피레이크는 비정상이기 때문이다. 그러나 인텔은 커피레이크가 카비레이크에 비해 성능이 15% 향상된다고 말했지만, 이 칩이 데스크탑 용인지 혹은 랩탑 용인지 구체적으로 밝히지 않았다.

더군다나 인텔은 크게 기대되는 10nm 기반 캐논레이크 칩의 출시시기를 밝히지 않고 있다. 아마도 첫 10nm 칩은 삼성 혹은 퀄컴으로부터 나올 것으로 예상된다. 삼성이 10nm 공정으로 생산하는 스냅드래곤 835 칩은다이 사이즈는 30% 줄어들고 전력소모는 40% 감소되는 것으로 알려졌다. 이 칩을 채용한 최초의 기기는 삼성 갤럭시 S8이 될 것으로 예상된다.

소스: Ars Technica

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이미지 크레딧: ITcle
 
안드로이드 어소리티는 화요일 (미국시각) 삼성이 2018년 초 7nm 칩의 생산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다고 전했다. 삼성 LSI 매니징 디렉터 허국 박사는 7nm 생산을 위한 EUV 장비를 소개할 것이라고 말했다.

그는 “우리가 7nm 공정에서 EUV의 이점을 극대화하고 성능과 전력소모 면에서 경쟁성을 확보할 것”이라고 말했다. 만일 삼성이 내년 초 7nm 칩을 생산하기 시작하면, 아마도 이 칩은 갤럭시 S9에 채용될 수도 있다는 것을 의미한다.

한편 TSMC는 올해 2분기에 7nm 칩을 테스트할 계획이고, 이는 이 7nm 공정 기반 A-시리즈 칩이 2018년 iPhone에 채용될 수 있다는 의미이다.

삼성은 작년 11월 10nm 칩의 양산을 발표했고, 이 10nm 공정 기술은 올해 플랙십 갤럭시 S8을 구동하는 엑시노스 8895와 스냅드래곤 835에 채용될 것이다. 삼성은 또한 14nm 칩은 중급 스마트폰과 웨어러블 용으로 생산할 것이다.

소스: 안드로이드 어소리티

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9to5Google은 일요일 (미국시각) 퀄컴 스냅드래곤 835 칩의 사양이 CES 2017이 임박해 유출 슬라이드를 통해 공개되었다고 전했다. 가장 괄목할만한 점은 스냅드래곤 835 칩의 생산 공정이 14nm에서 10nm로 이동한다는 것이다.

작년 11월 퀄컴은 스냅드래곤 835 칩의 일반 사양을 공개했고, 10nm로 이동함으로써 다이가 줄어드는 유익에 대해 말했다. 곧 성능은 27%가 향상되고, 전력소모는 40%까지 줄어든다. 그리고 칩의 면적 효율이 30% 향상되어 더 얇은 폰을 만들 수 있고, 다른 부품들을 위한 공간을 제공할 수 있다.

옥타 코어 Kyro 280은 스냅드래곤 820의 쿼드 코어 2.15GHz와 1.6GHz Kyro에 비해 VR과 앱 로딩 시간 그리고 웹 브라우징에서 20% 성능 향상을 제공한다. CPU는 여전히 big.LITTLE 아키텍처를 사용해 4개의 고성능 코어는 2.5GHz까지 클럭이 올릴 수 았다. 그리고 다른 4개 “효율성 클러스터”는 1.9GHz까지 올릴 수 있다.

Adreno 540 GPU는 25% 더 빠른 그래픽 렌더링을 포함해 4K@60fps 디스플레이를 지원한다. 그리고 헥사곤 690 DSP는 기계학습을 위한 구글 라이브러리인 TensorFlow를 지원하는 디지털 시그널 프로세싱을 처리한다.

퀄컴은 금주 CES 2017에서 스냅드래곤 835 칩을 공식 공개할 예정이다.

소스: 9to5Google

300mm와 450mm 웨이퍼의 비교
 
WccfTech은 토요일 (미국시각) TSMC가 50% 다이 스케일링 뿐만 아니라 20% 성능과 40% 전력효율이 향상된 10nm 칩의 양산을 2017년 1분기부터 시작한다고 전했다.

TSMC는 올해 10nm 칩의 시험 생산을 시작했고, 항상 애플의 최신 칩을 준비해 왔으며, 애풀의 차세대 iPhone에 이 10nm 칩이 장착될 것으로 예상된다.

그리고 TSMC는 2017년 내에 자사 10nm 공정이 고성능 ASIC를 위해 준비될 것이라고 말했다. 이는 빠르면 2018년 초에 10nm GPU의 생산이 가능할 수 있다는 의미이다.

최근 디지타임즈는 TSMC의 10nm 공정 수율이 낮아 애플의 차세대 iPad 프로의 출시가 지연될 것이라고 말했지만, TSMC는 이를 부인하고 10nm 칩 양산은 예정대로 진행될 것이라고 말했다.

소스: WccfTech

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Patently Apple은 수요일 (미국시각) TSMC가 자사 10nm 공정에 수율 문제를 제기한 디지타임즈의 보도를 반박했다고 전했다. 12월 23일 디지타임즈는 TSMC가 10nm 공정에서 낮은 수율 때문에 2017년 iPad 프로의 출시가 지연될 것이라고 보도했다.

그러나 TSMC는 자사 10nm 공정이 일정대로 생산되고, 10nm 기반 칩 판매로 인한 매출이 2017년 1분기에 적용될 것이라고 밀했다. TSMC는 또한 자사가 2017년 중 7nm를 생산하고, 5nm는 2019년 중 생산할 것이라고 말했다.

소스: Patently Apple

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Fudzilla는 지난주 초 (미국시각) 퀄컴이 최초의 10nm 스냅드래곤 835 칩으로 업계의 선두에 섰다고 전했다. 이 칩은 삼성의 10nm 공정기술로 생산된다.

8년 전인 2008년 PC 업계는 45nm 프로세서를 선보였고, 2010년에는 칩을 32nm로 줄였다. 이는 매 2년마다 새로운 생산공정으로 이동한다는 인텔의 유명한 틱-톡 공정을 따른 것이다.

2009년에 Nvidia와 AMD는 모두 40nm GPU를 출시했고, 2011년에는 28nm로 업그레이드했다. 그러나 많은 팬들이 고대했던 20nm GPU는 결코 출시되지 않았다. GPU는 거의 5년 동안 28nm에 머물렀고, 28nm에서 많은 최적화가 이뤄졌다.

마침내 2015년 AMD는 삼성/글로벌 파운드리스의 도움으로 14nm GPU를, Nvidia는 TSMC를 통해 16nm GPU를 출시했다. 한편 인텔은 2014년 자사 최초의 14nm FinFET 제품을 출시했고, 이는 노트북에 성능과 배터리 수명을 크게 향상시킨 유명한 하스웰이다. 그리고 인텔은 2세대 톡 프로세서를 출시했는데, 이것도 성공적인 프로세서인 스카이레이크이다.

인텔은 코드명이 캐논레이크인 10nm 아키텍처 기반 프로세서를 출시할 예정이었지만, 수 개월 전 인텔은 10nm 대신에 코드명이 카비레이크인 3세대 14nm 프로세서를 출시한다고 발표했다. 이는 인텔이 10년만에 처음으로 틱-톡 주기를 깬 것으로, 14nm 출시 2년 이후 새로운 아키텍처를 내놓는데 실패한 것이다. AMD도 10nm를 건너뛰고 코드명이 스타십인 7nm로 직접 이동할 예정이다.

한편 모바일 SoC는 퀄컴이 45nm 기반 2011년 스냅드래곤 1을 출시했고, 2년 후에 28nm 스냅드래곤 S4를 출시했다. 이는 모바일 SoC가 GPU를 제치고, PC에 근접하게 다가선 것이다.

2014년에 퀄컴은 20nm 스냅드래곤 810 칩을 출시했으나 많은 문제점으로 스마트폰 업체들로부터 외면을 당했다. 그리고 2015년 퀄컴은 삼성의 14nm 공정으로 스냅드래곤 820 칩을 출시했고, 이는 마침내 PC 쪽과 동등하게 된 것이다.

2016년 말인 이제 퀄컴은 2017년 전반기에 출시될 예정인 세계 최초 10nm 칩 스냅드레곤 835를 발표했다. 따라서 모바일 SoC가 GPU는 물론 PC도 앞서게 된것이다.

소스: Fudzilla

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Patently Apple은 금요일 (미국시각) 공급 체인 소스들을 통해 TSMC 10nm 칩 생산의 초기 수율이 낮아 2017년 iPad 프로 출시가 지연될 수도 있다고 전했다.

TSMC는 원래 2017년 3월 출시로 잡힌 차세대 iPad 시리즈에 들어갈 애플 A10X 칩을 생산할 계획이었다. 그러나 TSMC의 10nm 공정이 만족할만한 수율을 보이지 못해 새로운 iPad 프로의 출시 일정이 영향을 받게 되었다.

그리고 소스들은 TSMC가 iPhone 8에 들어가는 A11 칩도 2017년 2분기 양산에 들어갈 예정이었다고 말했다. 10nm 수율 문제는 TSMC만 아니라, 삼성도 같은 문제를 겪고 있는 것으로 알려졌다.

삼성의 낮은 10nm 공정 수율은 퀄컴의 프로세서 라인업 일정에 차질을 줄 것으로 알려졌다. 원래 퀄컴은 스냅드래곤 835 칩과 660 칩을 모두 삼성의 10nm 공정으로 생산할 계획이었지만, 낮은 수율 때문에 오직 835 칩만 10nm로 가는 것으로 알려졌다.

소스: Patently Apple

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니케이 아시아는 수요일 (일본시각) 타이완의 TSMC가 5nm와 3nm 칩 생산을 위해 160억 달러 규모의 첨단 설비를 건축할 예정이라고 전했다. 또한 TSMC는 2017년에 10nm 공정으로 생산되는 iPhone 8 용 A11 칩을 공급할 예정이다.

TSMC의 이같은 발표는 타이완 정부가 빠르면 2022년까지 TSMC가 첨단 설비를 건축하고 양산을 시작할 것이라고 미디어에게 말한 직후 나온 것이다. 타이완 과학기술부 장관 양 훙-두엔은 정부가 이 공장을 위해 타이완 카오시웅 시의 남부에 부지를 마련할 것이라고 말했다.

TSMC는 주경쟁업체인 한국의 삼성과 미국의 인텔과의 첨단 공정 기술 개발에서 앞서기를 원하고 있고, 또한 빠르게 성장하고 있는 인공지능, 기계학습, 자율주행차 같은 분야에 주력하려 하고 있다. 그러나 이런 프리미엄 기술을 채용할 수 있는 회사들은 애플, 퀄컴, Nvidia, 화웨이, 미디어텍 등 소수에 불과하다고 IEK 분석가 제리 펭은 말했다.

TSMC는 현재 전세계적으로 470개 고객들을 확보하고 있고, 가장 큰 고객들은 애플과 퀄컴으로, 이 두 회사가 회사 매출의 약 16%를 차지하고 있다. TSMC는 또한 Nvidia와 회웨이 그리고 미디어텍의 칩들을 생산하고 있다.

퀄컴은 14nm와 10nm 공정에서는 삼성으로 이동했지만, 업계 전문가들은 퀄컴이 2018년에 양산을 시작할 7nm부터는 TSMC로 복귀할 것으로 예상하고 있다. TSMC는 7nm 칩의 양산을 2018년 1분기부터 시작할 예정이지만, 인텔은 10nm 칩을 2017년 하반기에 그리고 삼성은 7nm 칩을 2018년 말까지 양산할 것으로 예상된다.

소스: 니케이 아시아

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BGR은 화요일 (미국시각) 디지타임즈를 인용해, 애플 iPhone 8의 A11 칩이 TSMC의 10nm 공정으로 생산될 것이라고 전했다. 이는 iPhone 7의 16nm 공정에서 10nm 공정으로 이동하는 것이다.

이 사이트는 또한 TSMC의 2017년 1분기 매츨이 애플의 16nm 기반 A10 칩의 발주 삭감으로 인해 1년 전보다 3% 하락할 것이라고 말했다. 그러나 A11 칩 발주 때문에 TSMC의 매출은 다시 상승할 것이라고 말했다.

그리고 TSMC는 애플 A11 칩 뿐만 아니라, 미디어텍과 HiSilicon 그리고 스프레드트럼의 10nm 칩들도 생산할 것이라고 말했다. 한편 경쟁업체 삼성은 자사 갤럭시 S8에 채용될 칩과 퀄컴 스냅드래곤 835 칩을 10nm 공정으로 생산할 예정이다.

소스: BGR

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퀄컴은 목요일 (미국시각) 삼성 10nm FinFET 공정 기술로 생산하는 차세대 스냅드래곤 835 칩을 공식 발표했다. 퀄컴은 이 새로운 SoC가 삼성의 10nm FinFET 공정 기술을 채용해, 이전 버전에 비해 성능은 27% 향상되고, 전력효율은 40% 향상된다고 말했다. 그리고 면적효율도 30% 향상되었다고 말했다.

이는 이 SoC를 장착한 기기들이 14nm 공정 기술을 채용한 스냅드래곤 820 SoC를 장착한 기기들보다 더 작아지고, 더 오래 사용할 수 있다는 것을 의미한다.

퀄컴은 스냅드래곤 835 칩 발표와 함께 USB-C 기반 고속충전 4.0도 발표했다. 고속충전 4.0은 단지 5분 충전으로 폰을 5시간을 사용할 수 있게 한다. 퀄컴은 스냅드래곤 835 SoC를 장착한 스마트폰들이 언제 출시될지에 대해서는 밝히지 않았지만, 아마도 갤럭시 S8을 포함해 내년 초부터 시장에 나올 것으로 예상된다.

소스: Phandroid

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이미지 크레딧: ITcle
 
삼성은 목요일 (한국시각) 4세대 14LPU와 3세대 10LPU로 고급 파운드리 제품을 확장한다고 발표했다. 삼성의 4세대 14nm 공정 기술 (14LPU)은 3세대 14nm 공정 기술 (LPC)에 비해 동일한 전력에 더 높은 성능을 제공한다. 14LPU는 고성능 및 연산 집약적인 어플리케이션에 적합하다.

한편 삼성의 3세대 10nm 공정 기술 (10LPU)은 이전 세대들 (10LPE, 10LPP)에 비교해 면적 김소를 제공한다. 기존 리소그라피 기술의 제한 때문에 10LPU는 업계에서 가장 단가효율적인 최첨단 공정 기술이 될 것으로 예상된다.

삼성은 오늘 14LPU와 10LPU의 제공과 함께 자사 7nm EUV 공정 개발 현황을 업데이트하고, 자사 7nm EUV 웨이퍼도 공개했다. 삼성은 10월 중순 세계최초로 10nm 양산을 발표했고, 이제 14LPU와 10LPU의 고급 파운드리 제품 라인업도 갖게 되었다.

삼성은 14LPU와 10LPU의 공정디자인키트 (PDK)를 2017년 2분기 중 배포할 예정이다.

소스: 삼성 뉴스룸

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Forbes는 화요일 (미국시각) 삼성 갤럭시 S8의 7가지 유출사항이 이 기기가 기다릴 가치가 있는 이유를 보여주고 있다고 전했다. 루머에 의하면, 삼성은 MWC가 시작되기 하루 전인 2017년 2월 26일 갤럭시 S8을 발표할 것으로 알려졌다.

그리고 삼성은 이미 갤럭시 S8의 부품들을 발주한 것으로 알려졌다. 갤럭시 S8의 론칭은 삼성에게 아주 중요한데, 이는 방대한 양의 노트 7 리콜과 단종이라는 테크 업계 최대의 실패를 만회할 수 있기 때문이다.

Forbes는 이제까지 알려진 갤럭시 S8의 중요한 7가지 새로운 기능들을 아래와 같이 소개했다.

1. 물리 버튼 없는 에지-투-에지 디스플레이
삼성은 전면 스크린에 물리 홈 버튼을 제거해 갤럭시 S8으로 하여금 완전한 에지-투-에지 스크린을 장착하게 만들 것이다. 그리고 이는 애플이 2017년에 출시할 역시 물리 홈 버튼을 없애고 완전한 에지-투-에지 스크린의 iPhone 8보다 약 6개월 더 빠르게 내놓은 것이다.

2. 4K 해상도
Forbes의 이완 스펜서는 삼성이 갤럭시 S8에 4K 해상도 스크린 (3840 x 2160)을 채용할 것으로 예상된다고 말했다. 이는 삼성이 S8으로 하여금 차세대 모바일 VR 플랫폼을 만들려고 하는 시도이다. 그리고 800ppi는 기어 VR을 사용할 때 더 몰입적인 VR 경험을 가능하게 할 것이다.

3. 듀얼 렌즈 카메라
삼성 공급업체들은 이미 삼성으로부터 듀얼 렌즈 카메라의 수주를 받은 것으로 알려졌다. 그리고 이 카메라는 화소수가 더 증가되고 더 밝은 렌즈를 채용할 것으로 예상된다.

4. 엑시노스 8895와 스냅드래곤 830 칩
삼성은 이미 어제 10nm 공정 기반 칩의 양산을 시작했다고 발표했다. 따라서 갤럭시 S8은 10nm 기반 엑시노스 8895와 스냅드래곤 830 칩을 탑재할 것이다. 이 칩들은 더 빠른 성능과 함께 전력소모를 크게 줄일 것이다.

5. USB-C 오디오 채용으로 헤드폰 잭 제거
삼성은 애플 iPhone 7과 7 플러스처럼 USB-C 오디오를 채용하고, 헤드폰 잭을 제거할 것으로 알려졌다. 만일 삼성이 애플을 따라 헤드폰 잭을 없앤다면, USB-C 투 3.5mm 헤드폰 잭 어댑터를 번들로 제공할 것이다.

6. ARM Mali-G71 그래픽 칩
스펜서는 지난 달 삼성이 갤럭시 S8에 아쥬 강력한 ARM Mali-G71 그래픽 칩을 탑재할 것이라고 말했다. ARM에 의하면, Mali-G71 그래픽 칩은 한 개의 코어로부터 32개 코어들까지 확장이 가능하고, 20%의 에너지 효율 향상과 40% 성능 향상을 제공한다.

7. 모두 에지 스크린을 장착한 2개의 다른 스크린 사이즈
갤럭시 S8은 5.1인치와 5.5인치 모델 모두 에지 스크린을 장착할 것으로 알려졌다. 따라서 갤럭시 S7과 S7 에지와 달리, 두 모델의 차이점은 스크린 크기밖애 없다. 그리고 두 모델 모두 에지 스크린을 탑재하기 때문에, 명칭은 “에지” 대신에 “플러스”가 붙을 수도 있다. 따라서 “갤럭시 S8″과 “갤럭시 S8 플러스”로 불릴 가능성이 높다.

소스: Forbes

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