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SoC

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The Verge는 월요일(미국시각) 퀄컴이 인도 뉴델리 이벤트에서 피처폰에 4G LTE 연결을 제공하는 새로운 205 플랫폼을 론칭헸다고 전했다.

새로운 205 SoC는 최대 4G 다운로드 속도 150Mbps를 제공하고, 듀얼 코어 1.1GHz CPU와 Adreno GPU 그리고 듀얼 SIM을 제공한다.

물론 205 플랫폼은 플랙십 칩처럼 고급 기능들을 제공하지 않지만, 3메가픽샐 카메라와 60fps로 480p VGA 디스플레이를 제공한다. 더 중요한 것은 인도나 브라질 같은 국가들에서 사용자들이 3G 혹은 심지어 2G로부터 4G로 업그레이드하는데 더 저렴한 길을 제공한다는 점이다.

이 205 플랫폼은 VoLTE와 VoWiFi도 지원하고, 사용자들에게 비디오와 뮤직 스트리밍 셰계를 열어 준다. 퀄컴은 205 플랫폼이 오늘부터 파트너들이 구입이 가능하지만, 이 칩을 채용한 기기들은 올해 2분기에나 시장에 나올 것이라고 말했다.

소스: The Verge

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AnandTech은 목요일(미국시각) 퀄컴이 스냅드래곤 브랜드를 프로세서에서 모바일 플랫폼으로 바꿨다고 전했다. 따라서 퀄컴은 스냅드래곤 브랜드를 더 이상 “스냅드래곤 프로세서”가 아닌 “스냅드래곤 모바일 플랫폼”으로 부르기로 했다.

퀄컴은 지난 몇년 동안 다양한 방식으로 스냅드래곤 브랜드를 홍보해 왔고, 실제로 성공을 거뒀다. 스냅드래곤은 회삼 명칭은 아니지만, 퀄컴보다 더 유명해졌다. 따라서 퀄컴은 이 브랜드를 모바일 플랫폼으로 승격시키려 하는 것이다.

그러나 이런 조치는 하드웨어가 변경되는 것은 아니다. 스냅드래곤 SoC는 여전히 스냅드래곤 SoC이다. 그러나 퀄컴이 강조하기 원하는 것은 스냅드래곤 SoC가 CPU 이상이라는 점이다. 이는 CPU, GPU, DSP, 셀룰러 모뎀, RF 트랜시버, 다양한 소프트웨어, 드라이버 등의 조합이다.

결과적으로 퀄컴은 프로세서보다 플랫폼이라는 단어가 더 적합하다고 생각하는 것이다.

소스: AnandTech

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디지타임즈는 목요일(타이완시각) 업계 소스들을 통해, TSMC와 삼성의 10nm 수율이 아직 만족할만한 수준이 아니라고 전했다. 소스들은 TSMC의 10nm 공정 기술의 수율이 너무 낮아 채산성이 맞지 않는다고 말했다.

이로 인해 TSMC가 10nm 공정으로 생산하는 미디어텍의 헬리오 X30 SoC의 출하 일정이 지연되고 있다고 소스들은 말했다. 미디어텍은 MWC 2017에서 자사 최초 10nm SoC 헹리오 X30 시리즈를 론칭했다. 미디어텍은 이 칩이 올해 2분기에 출시될 것으로 예상했다.

그러나 미디어텍 COO 제퍼리 쥐는 최근 니케이와 인터뷰에서 10nm 공정 기술의 수율이 아직 만족할만한 수준에 도달하지 못해 헬리오 X30 칩이 약간 지연될 것이라고 말했다.

이에 더해 소스들은 삼성의 10nm 공정 기술의 수율도 낮아 퀄컴 스냅드래곤 835 칩과 엑시노스 8895 칩의 생산에 영향을 끼치고 있고, 이는 갤럭시 S8의 출시 지연에 일부 요인이라고 말했다.

만일 TSMC와 삼성 파운드리가 2분기에 10nm 수율을 향상시킨다면, 10nm 칩을 채용한 스마트폰은 2분기 전체 스마트폰 출하량의 10%를 차지할 것이라고 소스들은 말했다. 그리고 이같은 비율은 3분기까지 크게 향상될 가능성이 높지 않다고 말했다.

소스: 디지타임즈

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이미지 크레딧: ITcle
 
CNET은 월요일(미국시각) 퀄컴이 라우터와 클라이언트 용 WiFi 802.11ax 칩 IPQ8074와 QCA6290을 공개했다고 전했다. 802.11ax는 현재 가장 인기있는 규격인 802.11ac와 마찬가지로 이전 WiFi 세대들과 소급호환 지원을 재공한다.

그러나 802.11ax는 더 빠른 속도 뿐만 아니라 WiFi 효율성에 초점을 맞춘 첫 규격이다. 따라서 802.11ax는 실세계 속도가 802.11ac보다 훨신 더 빠르다. 퀄컴은 802.11ax가 802.11ac보다 4배가 더 빠르다고 주장했다. 뿐만 아니라 802.11ax 라우터는 트래픽 다양성을 처리하고 중복되는 네트웍 밀도를 극복하는 능력 때문에 기존 802.11ax 이전 기기들에게 더 빠른 속도를 제공한다.

퀄컴은 IPQ8074가 14nm 기반 SoC로, 802.11ax 라디오와 MAC과 베이스밴드와 쿼드 코어 64-bit A53 CPU 그리고 듀얼 코어 네트웍 가속 칩을 통합했다고 말했다. 이 칩은 12×12 WiFi 설정과 업링크를 위해 MU-MIMO를 지원한다. 따라서 최대 4.8Gbps의 속도와 802.11ac보다 더 넓은 커버리지 영역에 연결을 허락한다.

클라이언트 용 QCA6290 SoC는 ㅁ리집된 네트웍 상에서 처리량 속도가 4배 증가되었고, 2×2 MU-MIMO를 지원하며, 8×8 MU-MIMO의 혜택을 전적으로 실현할 수 있다. 이 칩은 또한 듀얼 밴드 동시작동(DBS)를 사용해 2.4GHz와 5GHz 밴드를 겸할 수 있다. 따라서 최고속도 1.8Gbps를 제공하고, 전력소모는 2/3까지 줄일 수 있다.

퀄컴은 올해 전반기 중 이 칩의 샘플을 출하할 예정이고, 802.11ax 기기들은 올해 말 소비자들에게 출시될 것으로 예상된다.

소스: CNET

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Re/code는 월요일 (미국시각) 퀄컴은 애플이 지난주 금요일 자사에 대해 10억 달러 소송을 제기했음에도 불구하고, iPhone 용 칩은 계속 공급할 것이라고 전했다.

퀄컴은 소송은 비즈니스와 별도로 진행할 것이라고 Re/code는 말했다. 애플은 퀄컴에 소송을 제기하면서 퀄컴이 FRAND (공정하고 합리적이며 비차별적) 특허 약정을 피하기 위해 “독점력”을 악용했다고 비난했고, 한 예로 표준필수 특허에 대하여 “강요 수준”의 수수료를 부과했다고 말했다. 무엇보다도 퀄컴은 집행 기관에 협력한 것에 대한 보복으로 리베이트를 보류했으며, 심지어 애플에게 돈을 지불하는 대가로 한국 공정거래위원회에 거짓말을 하도록 회유까지 했다고 주장했다.

그러나 퀄컴은 애플이 최근 한국과 미국 “규제기관 공격”의 배후에 있다고 말했다고 반박했다. 퀄컴은 성명을 통해 자사가 애플의 제소를 검토하고 있는 중이지만, 애플의 주장은 근거가 없는 것이 매우 확실하다고 말했다. 퀄컴은 성명에서 “애플은 우리의 계약과 협상 뿐만 아니라, 라이센스 프로그램을 통해 우리가 발명하고 기여한 것 그리고 모든 모바일 기기 제조업체들과 공유한 기술의 엄청난 가치도 의도적으로 잘못 설명했다”고 말했다.

그럼에도 불구하고 퀄컴은 애플에게 iPhone 칩을 공급하는 것은 중단하지 않을 것이다. 애플은 iPhone과 iPad에 사용되는 SoC를 자체적으로 설계하지만, 모뎀 칩 만큼은 이제까지 퀄컴에 의존해 왔다. 그러나 작년 iPhone 7부터 애플은 퀄컴과 인텔에게 발주를 다원화 했다.

iPhone 7이 출시된 후, 애플은 부인했지만 AT&T와 T-Mobile 용 iPhone 7에 사용된 인텔 모뎀 칩이 버라이즌과 스프린트에 사용된 퀄컴 모뎀 칩보다 성능이 떨어지는 것으로 나타났다.

소스: Re/code

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이미지 크레딧: ITcle
 
XDA 개발자 시아트는 목요일 (미국시각) 타이완 디지타임즈를 인용해 삼성 갤럭시 S8과 LG G6가 과열 문제를 방지하기 위해 히트파이프를 채용할 것이라고 전했다. 이는 갤럭시 노트 7에서 나타났던 발화와 폭발을 방지하려는 조치이다. 히트파이프는 SoC가 방출하는 열을 흡수하기 위해 사용되지만, 배터리 같은 다른 부품들에 노출되지 않도록 한다.

스마트폰에 히트파이프 채용은 이번이 처음은 아니다. 소니와 삼성은 Xperia Z5 프리미엄과 갤럭시 S7에 이를 채용했다. 그러나 디지타임즈에 의하면, 갤럭시 S8은 타이완 업체 오라스 테크놀로지와 차운 청 테쿠놀로지가 히트파이프를 공급하고, LG G6는 일본업체 후라카와 전기와 타이완 업체 델타 전기가 공급하는 것으로 알려졌다.

이 보도는 LG가 과얄을 방지하기 위해 자사 플랙십 G6에 동 히트파이프를 채용할 것이라는 최근 발표와 궤를 같이 하는 것이다. 이전 루머는 삼성이 갤럭시 S8에 열 흡수 능력을 증가시키기 위해 듀얼 히트파이프를 사용할 것이라고 말했지만, 이 보도는 갤럭시 S7처럼 싱글 히트파이프 그조가 될 것이라고 말했다.

소스: XDA 개발자

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AnandTech은 수요일 (미국시각) SK 하이닉스가 세계최대 용량 초저전력 8GB LPDDR4X-4266 모바일 DRAM 패키지를 발표했다고 전했다. 업계최초 8GB LPDDR4X DRAM 패키지는 차세대 모바일 기기 용으로 DRAM 성능을 향상시킬 뿐만 아니라, 낮은 I/O 전압으로 인해 전력소모도 줄인다.

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SK 하이닉스는 이미 파트너들에게 샘플을 배송했고, 이 메모리를 채용한 제품들이 수 개월 내에 시장에 출시될 것이라고 말했다. 새로운 메모리를 채용하는 첫 AP는 미디어텍의 헬리오 P20으로, 2017년 1분기에 출시될 예정이다. 그리고 LPDDR4X를 지원하는 다른 SoC는 퀄컴의 새로운 플랙십 스냅드래곤 835이다.

소스: AnandTech

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인텔은 목요일 (미국시각) CES 2017에서 크레딧 카드보다 약간 큰 ‘컴퓨트 카드’를 발표했다. 인텔은 크기가 단지 94.5 mm x 55 mm x 5 mm인 ‘컴퓨트 카드’로 불리는 크레딧 카드 사이즈의 컴퓨트 플랫폼을 공개했다.

인텔 컴퓨트 카드는 인텔 SoC, 메모리, 스토리지, 무선 연결, 유동적인 I/O 옵션 등 풀 컴퓨터의 모든 요소들을 갖고 있다. 이 컴퓨트 카드는 하드웨어 업체들이 냉장고, 스마트 키오스크로부터 보안 카메라와 IoT 게이트웨이까지 특정 솔루션 용으로 최적화할 수 있다.

기기 재조업체들은 단지 그들의 기기에 표준 인텔 컴퓨트 카드 슬롯이 들어가도록 디자인하고, 성능과 가격에 맞춰 최적의 인텔 컴퓨트 카드를 채용하면 된다. 이는 하드웨어 업체들로 하여금 디자인에 필요한 시간과 자원을 절감하게 하고, 이 시간과 자원을 기기의 다른 면을 혁신할 수 있도록 도움울 줄 것이다.

소스: 인텔

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Fudzilla는 지난주 초 (미국시각) 퀄컴이 최초의 10nm 스냅드래곤 835 칩으로 업계의 선두에 섰다고 전했다. 이 칩은 삼성의 10nm 공정기술로 생산된다.

8년 전인 2008년 PC 업계는 45nm 프로세서를 선보였고, 2010년에는 칩을 32nm로 줄였다. 이는 매 2년마다 새로운 생산공정으로 이동한다는 인텔의 유명한 틱-톡 공정을 따른 것이다.

2009년에 Nvidia와 AMD는 모두 40nm GPU를 출시했고, 2011년에는 28nm로 업그레이드했다. 그러나 많은 팬들이 고대했던 20nm GPU는 결코 출시되지 않았다. GPU는 거의 5년 동안 28nm에 머물렀고, 28nm에서 많은 최적화가 이뤄졌다.

마침내 2015년 AMD는 삼성/글로벌 파운드리스의 도움으로 14nm GPU를, Nvidia는 TSMC를 통해 16nm GPU를 출시했다. 한편 인텔은 2014년 자사 최초의 14nm FinFET 제품을 출시했고, 이는 노트북에 성능과 배터리 수명을 크게 향상시킨 유명한 하스웰이다. 그리고 인텔은 2세대 톡 프로세서를 출시했는데, 이것도 성공적인 프로세서인 스카이레이크이다.

인텔은 코드명이 캐논레이크인 10nm 아키텍처 기반 프로세서를 출시할 예정이었지만, 수 개월 전 인텔은 10nm 대신에 코드명이 카비레이크인 3세대 14nm 프로세서를 출시한다고 발표했다. 이는 인텔이 10년만에 처음으로 틱-톡 주기를 깬 것으로, 14nm 출시 2년 이후 새로운 아키텍처를 내놓는데 실패한 것이다. AMD도 10nm를 건너뛰고 코드명이 스타십인 7nm로 직접 이동할 예정이다.

한편 모바일 SoC는 퀄컴이 45nm 기반 2011년 스냅드래곤 1을 출시했고, 2년 후에 28nm 스냅드래곤 S4를 출시했다. 이는 모바일 SoC가 GPU를 제치고, PC에 근접하게 다가선 것이다.

2014년에 퀄컴은 20nm 스냅드래곤 810 칩을 출시했으나 많은 문제점으로 스마트폰 업체들로부터 외면을 당했다. 그리고 2015년 퀄컴은 삼성의 14nm 공정으로 스냅드래곤 820 칩을 출시했고, 이는 마침내 PC 쪽과 동등하게 된 것이다.

2016년 말인 이제 퀄컴은 2017년 전반기에 출시될 예정인 세계 최초 10nm 칩 스냅드레곤 835를 발표했다. 따라서 모바일 SoC가 GPU는 물론 PC도 앞서게 된것이다.

소스: Fudzilla

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퀄컴은 목요일 (미국시각) 삼성 10nm FinFET 공정 기술로 생산하는 차세대 스냅드래곤 835 칩을 공식 발표했다. 퀄컴은 이 새로운 SoC가 삼성의 10nm FinFET 공정 기술을 채용해, 이전 버전에 비해 성능은 27% 향상되고, 전력효율은 40% 향상된다고 말했다. 그리고 면적효율도 30% 향상되었다고 말했다.

이는 이 SoC를 장착한 기기들이 14nm 공정 기술을 채용한 스냅드래곤 820 SoC를 장착한 기기들보다 더 작아지고, 더 오래 사용할 수 있다는 것을 의미한다.

퀄컴은 스냅드래곤 835 칩 발표와 함께 USB-C 기반 고속충전 4.0도 발표했다. 고속충전 4.0은 단지 5분 충전으로 폰을 5시간을 사용할 수 있게 한다. 퀄컴은 스냅드래곤 835 SoC를 장착한 스마트폰들이 언제 출시될지에 대해서는 밝히지 않았지만, 아마도 갤럭시 S8을 포함해 내년 초부터 시장에 나올 것으로 예상된다.

소스: Phandroid

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삼성은 화요일 (한국시각) 업계최초로 14nm FinFET 공정 기반 웨어러블 용 AP의 양산을 시작했다고 발표했다. 이 웨어러블 용 AP는 엑시노스 7 듀얼 7720 칩으로, 업계최초 14nm 공정으로 생산된 것일 뿐만 아니라, 동급 AP 중 LTE 모뎀과 WiFi와 블루투스를 모두 통합시켰다.

삼성은 엑시노스 7 듀얼 7720 칩이 웨어러블 전용 시스템-온-칩 (SoC)으로 새로운 패러다임을 제공한다고 말했다. 그리고 이 AP는 첨단 공정을 채용했을 뿐만 아니라, 훌륭한 전력효율을 제공하고 LTE와 WiFi 그리고 불루투스까지 통합시켰다고 말했다.

그리고 혁신적 패키징 기술로 싱글 칩에 AP, DRAM, NAND 플래시 메모리, 전력관리 IC (PMIC)까지 통합시켰다고 말했다. 따라서 이 AP는 업체들과 디자이너들로 하여금 그들의 웨어러블 기기들을 더 얇게 만들 수 있게 할 것이라고 말했다.

소스: 삼성 뉴스룸

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이미지 크레딧: ITcle
 
WccfTech은 목요일 (미국시간) 삼성이 엑시노스 8895 칩을 빅 코어 클럭 4GHz까지 테스트했다고 전했다. 엑시노스 8895 칩은 삼성의 10nm FinFET 공정으로 생산될 예정이다. 삼성은 엑시노스 8895의 빅 코어 클럭을 4GHz까지 테스트했을 뿐만 아니라, 리틀 코어 Cortex A53도 2.7GHz까지 테스트한 것으로 알려졌다. 참고로 엑시노스 8890의 빅 코어 클럭은 3.0GHz이다.

이는 성능 면에서 동일한 10nm 공정으로 생산되는 3.6GHz 클럭 레벨의 퀄컴 스냅드래곤 830 칩을 제치는 것이다. 삼성은 2017년 1분기에 갤럭시 S8에 밎춰 엑시노스 8895 칩을 론칭할 예정이다. 만일 이 정보가 사실이라면, 삼성 엑시노스 8895 SoC는 2017년에도 모바일 시장의 강자가 될 것이다.

소스: WccfTech

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XDA 개발자 사이트는 화요일 (미국시간) Asus가 스냅드래곤 821과 6GB 램과 256GB UFS 2.0 스토리지 등을 제공하는 젠폰 3 딜럭스를 발표했다고 전했다. 스냅드래곤 821 SoC는 클럭 스피드 2.4GHz로 전작 820 SoC보다 성능 면에서 10% 향상되었다.

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젠폰 3 딜럭스는 5.7인치 풀 HD 디스플레이, USB-C 포트, 3000mAh 배터리, 23메가픽셀 카메라, 안드로이드 6.0 마시멜로, 구글 데이드림 VR 호환 등을 제공한다. 이 폰의 가격은 NT$24,990 ($776)이고, 곧 타이완과 홍콩 시장에 출시될 예정이다. 그러나 글로벌 출시는 아직 미정이다.

소스: XDA 개발자

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이미지 크레딧: ITcle
 
안드로이드 센트럴은 월요일 (미국시간) 퀄컴이 자사 최신 칩인 스냅드래곤 821 SoC를 발표했고, 이는 820보다 10% 더 빠르다고 전했다. 스냅드래곤 821 SoC는 쿼드 코어 Kyro CPU 클러스터를 유지하지만, 2.4GHz의 더 빠른 클럭 스피드를 제공한다. 참고로 스냅드래곤 820은 2.15GHz이다.

퀄컴은 스냅드래곤 821 SoC를 장착한 첫 스마트폰들이 올 하반기에 출시될 것이라고 말해, 삼성 갤럭시 노트 7에 채용될 수 있음을 암시하고 있다. 퀄컴은 스냅드래곤 821 Soc가 스냅드래곤 820과 함께 자사 고급 SoC 라인업을 보완하는 제품이라고 말했다.

소스: 안드로이드 센트럴

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폰아레나는 화요일 (미국시간) 소니가 MWC 2016에서 공개한 Xperia X와 XA 라인의 미국 가격과 출시일을 발표했다고 전했다. 소니는 Xperia X를 6월 26일 $549.99에 출시하고, 나머지 모델들은 7월 17일과 7월 24일에 각각 출시할 것이라고 말했다.

제일 먼저 6월 26일에 출시되는 Xperia X는 X 퍼포먼스와 함께 새로운 라인업의 플랙십 폰으로, 5인치 1080p 디스플레이, 23/13메가픽셀 카메라 콤보, 스냅드래곤 650 SoC, 3GB 램, 32GB 스토리지, 우측 메탈 프레임에 장착된 지문인식 센서 등을 제공한다.

7월 17일 출시되는 $699.99 가격의 Xperia X 퍼포먼스는 X와 디자인, 디스플레이, 카메라, 스토리지, 램이 동일하지만, SoC에 차이가 있어 스냅드래곤 820 프로세서를 채용했다.

그리고 Xperia XA는 7월 17일 출시되고 4 모델들 중 가장 저렴한 가격인 $279.99에 판매될 예정이다. 이 폰은 5인치 720p 디스플레이, 미디어텍 Helio P10 프로세서, 2GB 램, 16GB 스토리지 그리고 13/8메가픽셀 커메라 콤보를 제공한다.

7월 24일 출시되는 $369.99 가격의 XA 울트라는 6인치 1080p 디스플레이, 21.5/16메가픽셀 카메라 콤보, 3GB 램, 미디어텍 Helio P10 프로세서, 16GB 스토리지 등을 제공한다.

소스: 폰아레나

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GSM 아레나는 일요일 (미국시간) 삼성 갤럭시 S7 에지 엑시노스 8890 버전과 스냅드래곤 820 버전의 배터리 수명을 비교하는 테스트 결과를 공개했다. 이 테스트 결과에 의하면, 갤럭시 S7 에지 엑시노스 버전이 스냅드래곤 버전보다 더 오래 가는 것으로 나타났다.

갤럭시 S7 에지는 3600mAh 용량의 고정식 배터리를 장착해, 갤럭시 S6 에지의 2600mAh와 갤럭시 S6 에지+의 3000mAh보다 더 큰 용량을 제공한다. 그러나 Soc 버전에 따라 배터리 수명이 크게 차이가 나는 것으로 나타났다.

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예를 들면, 통화시간은 엑시노스 버전의 경우 24시간 29분인 반면에 스냅드래곤 버전은 22시간 32분을 기록했고, 비디오 재생은 엑시노스가 20시간 08분을 그리고 스냅드래곤이 16시간 54분을 기록했다. 웹 브라우징의 경우, 엑시노스는 13시간 32분을, 그리고 스냅드래곤은 10시간 09분을 기록했다.

GSM 아레나의 배터리 지구력 점수는 엑시노스 버전이 98h (얼웨이스 온 67h)를, 스냅드래곤 버전은 87h (얼웨이스 온 63h)를 각각 기록했다.

소스: GSM 아레나

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애플 인사이더는 수요일 (미국시간) The Register를 인용해, TSMC가 ARM과 파트너십으로 2018년 iPhone 8에 채용될 수도 있는 7nm 칩을 생산할 예정이라고 전했다. 애플의 기존 A9 칩은 삼성과 TSMC가 생산하는 14nm 혹은 16nm 공정 기반 SoC이다.

TSMC는 올해 말 10nm 칩을 생산할 예정이지만, 올 가을 출시 예정인 iPhone 7에 채용된다는 보장은 없다. 아마도 애플은 iPhone 7에 계속 TSMC의 16nm 칩을 채용할 수도 있다. 아니면 iPhone 6s처럼 TSMC와 삼성이 생산하는 칩들의 조합으로 갈 수도 있다.

TSMC의 7nm 칩을 가장 먼저 채용할 애플 제품은 2018년 iPhone 8이 될 수도 있지만, 더 중요한 것은 TSMC가 10nm 디자인을 먼저 안정화해야 한다. 그리고 아직 확정된 것은 아니지만, 이전 루머들에 의하면 2016년 iPhone 7에 채용되는 A10 칩은 TSMC가 독점 공급할 것으로 알려졌다.

소스: 애플 인사이더

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XDA 개발자는 월요일 (미국시간) 가장 인기있는 벤치마킹 앱들 중 하나인 안투투가 상위 10대 스마트폰 SoC들의 성능 보고서를 발표했다고 전했다. CPU 테스트에서는 갤럭시 S7, S7 에지, LG G5, Xperia X 퍼포먼스 등의 플랙십 폰들에 탑재되는 퀄컴 스냅드래곤 820 SoC가 애플 A9과 삼성 엑시노스 8890 SoC들을 간발의 차이로 제치고 1위를 차지했다.

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그러나 GPU 테스트에서는 스냅드래곤의 Adreno 530 칩이 경쟁사 칩들을 큰 차이로 따돌리고 1위를 차지했다. 스냅드래곤 820은 55098점을 기록했고, 애플 A9 (PowerVR GT7600)은 38104점을 그리고 엑시노스 8890 (Mali-T880 MP12)은 37545점을 기록했다. 그러나 GPU 성능은 스크린 해상도와 직접적인 관련이 있다는 점을 염두에 두어야 한다. 스크린이 고해상도일수록 GPU 성능은 떨어지기 때문이다.

소스: XDA 개발자

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순서: 좌로부터 iPhone 6s 플러스, S7 에지, 노트 5, 모토 X 퓨어, 넥서스 6P
 
XDA 개발자 사이트는 금요일 (미국시간) 갤럭시 S7 에지 (스냅드래곤 820)를 iPhone 6s 플러스 (A9)와 노트 5 (엑시노스 7240), 모토 X 퓨어 (스냅드래곤 808), 넥서스 6P (스냅드래곤 810), HTC One M9 (스냅드래곤 810) 등과 비교해 일련의 스트레스 테스트들을 행했다.

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먼저 iOS와 안드로이드를 다 지원하는 크로스-플랫폼 CPU 집중적인 테스트인 Geekbench 테스트에서 갤럭시 S7의 스냅드래곤 820 프로세서는 감속의 징후가 거의 없었다. 그러나 810 SoC를 장착한 넥서스 6P와 HTC M9은 가장 높은 감속을 보였다.

iPhone 6s 플러스와 갤럭시 노트 5는 가장 좋은 열효율 (화씨 83도/섬씨 28.3도)을 보였고, S7 에지는 화씨 84도/섭씨 28.9도로 나타났다. 그러나 6P는 화씨 95도/섭씨 35도로 가장 뜨거운 폰으로 나타났고, 그 다음이 모토 X 퓨어로 화씨 88도/섭씨 31.1도를 기록했다.

퀄컴은 스냅드래곤 820 SoC의 샤로운 Adreno GPU가 40% 향상된 성능을 제공한다고 말했는데, 3DMark 테스트에서 S7 에지는 6P와 노트 5보다 한참 더 높은 성능을 보여주었다. 스냅드래곤 820으로 구동되는 S7 에지는 GPU 성능에서 다른 안드로이드 폰들을 다 제쳤다. 그러나 iPhone 6s 플러스는 이 테스트에서 가장 뜨거운 폰인 것으로 나타났고, 그 다음이 갤럭시 S7인 것으로 나타났다.

소스: XDA 개발자

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Ars Technica는 수요일 (미국시간) 삼성이 14nm FinFET 공정으로 생산하는 중급 스마트폰 용 SoC 옥타 코어 엑시노스 7870의 양산을 발표했다고 전했다.

엑시노스 7870은 8개의 1.6GHz ARM Cortex A53 CPU 코어들, 300Mbps 카테고리 6 LTE 모뎀, 1920 x 1200 스크린 지원 미확인 GPU 등을 제공한다.

이 SoC는 삼성의 14nm FinFET 공정으로 생산되어, 성능과 에너지 효율에 큰 향상을 제공한다. 삼성은 엑시노스 7870 SoC가 양산에 들어갔다고 말해, 이 칩을 탑재한 제품들이 곧 출시될 것으로 예상된다.

소스: Ars Technica

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