Tags Posts tagged with "SoC"

SoC

0 155

 
AnandTech은 수요일 (미국시각) SK 하이닉스가 세계최대 용량 초저전력 8GB LPDDR4X-4266 모바일 DRAM 패키지를 발표했다고 전했다. 업계최초 8GB LPDDR4X DRAM 패키지는 차세대 모바일 기기 용으로 DRAM 성능을 향상시킬 뿐만 아니라, 낮은 I/O 전압으로 인해 전력소모도 줄인다.

sk_hynix_lpddr4x-678-2_575px

lpddr4x_575px

SK 하이닉스는 이미 파트너들에게 샘플을 배송했고, 이 메모리를 채용한 제품들이 수 개월 내에 시장에 출시될 것이라고 말했다. 새로운 메모리를 채용하는 첫 AP는 미디어텍의 헬리오 P20으로, 2017년 1분기에 출시될 예정이다. 그리고 LPDDR4X를 지원하는 다른 SoC는 퀄컴의 새로운 플랙십 스냅드래곤 835이다.

소스: AnandTech

0 386

 
인텔은 목요일 (미국시각) CES 2017에서 크레딧 카드보다 약간 큰 ‘컴퓨트 카드’를 발표했다. 인텔은 크기가 단지 94.5 mm x 55 mm x 5 mm인 ‘컴퓨트 카드’로 불리는 크레딧 카드 사이즈의 컴퓨트 플랫폼을 공개했다.

인텔 컴퓨트 카드는 인텔 SoC, 메모리, 스토리지, 무선 연결, 유동적인 I/O 옵션 등 풀 컴퓨터의 모든 요소들을 갖고 있다. 이 컴퓨트 카드는 하드웨어 업체들이 냉장고, 스마트 키오스크로부터 보안 카메라와 IoT 게이트웨이까지 특정 솔루션 용으로 최적화할 수 있다.

기기 재조업체들은 단지 그들의 기기에 표준 인텔 컴퓨트 카드 슬롯이 들어가도록 디자인하고, 성능과 가격에 맞춰 최적의 인텔 컴퓨트 카드를 채용하면 된다. 이는 하드웨어 업체들로 하여금 디자인에 필요한 시간과 자원을 절감하게 하고, 이 시간과 자원을 기기의 다른 면을 혁신할 수 있도록 도움울 줄 것이다.

소스: 인텔

0 340

 
Fudzilla는 지난주 초 (미국시각) 퀄컴이 최초의 10nm 스냅드래곤 835 칩으로 업계의 선두에 섰다고 전했다. 이 칩은 삼성의 10nm 공정기술로 생산된다.

8년 전인 2008년 PC 업계는 45nm 프로세서를 선보였고, 2010년에는 칩을 32nm로 줄였다. 이는 매 2년마다 새로운 생산공정으로 이동한다는 인텔의 유명한 틱-톡 공정을 따른 것이다.

2009년에 Nvidia와 AMD는 모두 40nm GPU를 출시했고, 2011년에는 28nm로 업그레이드했다. 그러나 많은 팬들이 고대했던 20nm GPU는 결코 출시되지 않았다. GPU는 거의 5년 동안 28nm에 머물렀고, 28nm에서 많은 최적화가 이뤄졌다.

마침내 2015년 AMD는 삼성/글로벌 파운드리스의 도움으로 14nm GPU를, Nvidia는 TSMC를 통해 16nm GPU를 출시했다. 한편 인텔은 2014년 자사 최초의 14nm FinFET 제품을 출시했고, 이는 노트북에 성능과 배터리 수명을 크게 향상시킨 유명한 하스웰이다. 그리고 인텔은 2세대 톡 프로세서를 출시했는데, 이것도 성공적인 프로세서인 스카이레이크이다.

인텔은 코드명이 캐논레이크인 10nm 아키텍처 기반 프로세서를 출시할 예정이었지만, 수 개월 전 인텔은 10nm 대신에 코드명이 카비레이크인 3세대 14nm 프로세서를 출시한다고 발표했다. 이는 인텔이 10년만에 처음으로 틱-톡 주기를 깬 것으로, 14nm 출시 2년 이후 새로운 아키텍처를 내놓는데 실패한 것이다. AMD도 10nm를 건너뛰고 코드명이 스타십인 7nm로 직접 이동할 예정이다.

한편 모바일 SoC는 퀄컴이 45nm 기반 2011년 스냅드래곤 1을 출시했고, 2년 후에 28nm 스냅드래곤 S4를 출시했다. 이는 모바일 SoC가 GPU를 제치고, PC에 근접하게 다가선 것이다.

2014년에 퀄컴은 20nm 스냅드래곤 810 칩을 출시했으나 많은 문제점으로 스마트폰 업체들로부터 외면을 당했다. 그리고 2015년 퀄컴은 삼성의 14nm 공정으로 스냅드래곤 820 칩을 출시했고, 이는 마침내 PC 쪽과 동등하게 된 것이다.

2016년 말인 이제 퀄컴은 2017년 전반기에 출시될 예정인 세계 최초 10nm 칩 스냅드레곤 835를 발표했다. 따라서 모바일 SoC가 GPU는 물론 PC도 앞서게 된것이다.

소스: Fudzilla

0 367

 
퀄컴은 목요일 (미국시각) 삼성 10nm FinFET 공정 기술로 생산하는 차세대 스냅드래곤 835 칩을 공식 발표했다. 퀄컴은 이 새로운 SoC가 삼성의 10nm FinFET 공정 기술을 채용해, 이전 버전에 비해 성능은 27% 향상되고, 전력효율은 40% 향상된다고 말했다. 그리고 면적효율도 30% 향상되었다고 말했다.

이는 이 SoC를 장착한 기기들이 14nm 공정 기술을 채용한 스냅드래곤 820 SoC를 장착한 기기들보다 더 작아지고, 더 오래 사용할 수 있다는 것을 의미한다.

퀄컴은 스냅드래곤 835 칩 발표와 함께 USB-C 기반 고속충전 4.0도 발표했다. 고속충전 4.0은 단지 5분 충전으로 폰을 5시간을 사용할 수 있게 한다. 퀄컴은 스냅드래곤 835 SoC를 장착한 스마트폰들이 언제 출시될지에 대해서는 밝히지 않았지만, 아마도 갤럭시 S8을 포함해 내년 초부터 시장에 나올 것으로 예상된다.

소스: Phandroid

0 390

 
삼성은 화요일 (한국시각) 업계최초로 14nm FinFET 공정 기반 웨어러블 용 AP의 양산을 시작했다고 발표했다. 이 웨어러블 용 AP는 엑시노스 7 듀얼 7720 칩으로, 업계최초 14nm 공정으로 생산된 것일 뿐만 아니라, 동급 AP 중 LTE 모뎀과 WiFi와 블루투스를 모두 통합시켰다.

삼성은 엑시노스 7 듀얼 7720 칩이 웨어러블 전용 시스템-온-칩 (SoC)으로 새로운 패러다임을 제공한다고 말했다. 그리고 이 AP는 첨단 공정을 채용했을 뿐만 아니라, 훌륭한 전력효율을 제공하고 LTE와 WiFi 그리고 불루투스까지 통합시켰다고 말했다.

그리고 혁신적 패키징 기술로 싱글 칩에 AP, DRAM, NAND 플래시 메모리, 전력관리 IC (PMIC)까지 통합시켰다고 말했다. 따라서 이 AP는 업체들과 디자이너들로 하여금 그들의 웨어러블 기기들을 더 얇게 만들 수 있게 할 것이라고 말했다.

소스: 삼성 뉴스룸

0 1094

이미지 크레딧: ITcle
 
WccfTech은 목요일 (미국시간) 삼성이 엑시노스 8895 칩을 빅 코어 클럭 4GHz까지 테스트했다고 전했다. 엑시노스 8895 칩은 삼성의 10nm FinFET 공정으로 생산될 예정이다. 삼성은 엑시노스 8895의 빅 코어 클럭을 4GHz까지 테스트했을 뿐만 아니라, 리틀 코어 Cortex A53도 2.7GHz까지 테스트한 것으로 알려졌다. 참고로 엑시노스 8890의 빅 코어 클럭은 3.0GHz이다.

이는 성능 면에서 동일한 10nm 공정으로 생산되는 3.6GHz 클럭 레벨의 퀄컴 스냅드래곤 830 칩을 제치는 것이다. 삼성은 2017년 1분기에 갤럭시 S8에 밎춰 엑시노스 8895 칩을 론칭할 예정이다. 만일 이 정보가 사실이라면, 삼성 엑시노스 8895 SoC는 2017년에도 모바일 시장의 강자가 될 것이다.

소스: WccfTech

0 621

 
XDA 개발자 사이트는 화요일 (미국시간) Asus가 스냅드래곤 821과 6GB 램과 256GB UFS 2.0 스토리지 등을 제공하는 젠폰 3 딜럭스를 발표했다고 전했다. 스냅드래곤 821 SoC는 클럭 스피드 2.4GHz로 전작 820 SoC보다 성능 면에서 10% 향상되었다.

zenfone3-deluxe

젠폰 3 딜럭스는 5.7인치 풀 HD 디스플레이, USB-C 포트, 3000mAh 배터리, 23메가픽셀 카메라, 안드로이드 6.0 마시멜로, 구글 데이드림 VR 호환 등을 제공한다. 이 폰의 가격은 NT$24,990 ($776)이고, 곧 타이완과 홍콩 시장에 출시될 예정이다. 그러나 글로벌 출시는 아직 미정이다.

소스: XDA 개발자

0 598

이미지 크레딧: ITcle
 
안드로이드 센트럴은 월요일 (미국시간) 퀄컴이 자사 최신 칩인 스냅드래곤 821 SoC를 발표했고, 이는 820보다 10% 더 빠르다고 전했다. 스냅드래곤 821 SoC는 쿼드 코어 Kyro CPU 클러스터를 유지하지만, 2.4GHz의 더 빠른 클럭 스피드를 제공한다. 참고로 스냅드래곤 820은 2.15GHz이다.

퀄컴은 스냅드래곤 821 SoC를 장착한 첫 스마트폰들이 올 하반기에 출시될 것이라고 말해, 삼성 갤럭시 노트 7에 채용될 수 있음을 암시하고 있다. 퀄컴은 스냅드래곤 821 Soc가 스냅드래곤 820과 함께 자사 고급 SoC 라인업을 보완하는 제품이라고 말했다.

소스: 안드로이드 센트럴

0 945

 
폰아레나는 화요일 (미국시간) 소니가 MWC 2016에서 공개한 Xperia X와 XA 라인의 미국 가격과 출시일을 발표했다고 전했다. 소니는 Xperia X를 6월 26일 $549.99에 출시하고, 나머지 모델들은 7월 17일과 7월 24일에 각각 출시할 것이라고 말했다.

제일 먼저 6월 26일에 출시되는 Xperia X는 X 퍼포먼스와 함께 새로운 라인업의 플랙십 폰으로, 5인치 1080p 디스플레이, 23/13메가픽셀 카메라 콤보, 스냅드래곤 650 SoC, 3GB 램, 32GB 스토리지, 우측 메탈 프레임에 장착된 지문인식 센서 등을 제공한다.

7월 17일 출시되는 $699.99 가격의 Xperia X 퍼포먼스는 X와 디자인, 디스플레이, 카메라, 스토리지, 램이 동일하지만, SoC에 차이가 있어 스냅드래곤 820 프로세서를 채용했다.

그리고 Xperia XA는 7월 17일 출시되고 4 모델들 중 가장 저렴한 가격인 $279.99에 판매될 예정이다. 이 폰은 5인치 720p 디스플레이, 미디어텍 Helio P10 프로세서, 2GB 램, 16GB 스토리지 그리고 13/8메가픽셀 커메라 콤보를 제공한다.

7월 24일 출시되는 $369.99 가격의 XA 울트라는 6인치 1080p 디스플레이, 21.5/16메가픽셀 카메라 콤보, 3GB 램, 미디어텍 Helio P10 프로세서, 16GB 스토리지 등을 제공한다.

소스: 폰아레나

0 936

 
GSM 아레나는 일요일 (미국시간) 삼성 갤럭시 S7 에지 엑시노스 8890 버전과 스냅드래곤 820 버전의 배터리 수명을 비교하는 테스트 결과를 공개했다. 이 테스트 결과에 의하면, 갤럭시 S7 에지 엑시노스 버전이 스냅드래곤 버전보다 더 오래 가는 것으로 나타났다.

갤럭시 S7 에지는 3600mAh 용량의 고정식 배터리를 장착해, 갤럭시 S6 에지의 2600mAh와 갤럭시 S6 에지+의 3000mAh보다 더 큰 용량을 제공한다. 그러나 Soc 버전에 따라 배터리 수명이 크게 차이가 나는 것으로 나타났다.

gs7-edge-exy

gs7-edge-snap

예를 들면, 통화시간은 엑시노스 버전의 경우 24시간 29분인 반면에 스냅드래곤 버전은 22시간 32분을 기록했고, 비디오 재생은 엑시노스가 20시간 08분을 그리고 스냅드래곤이 16시간 54분을 기록했다. 웹 브라우징의 경우, 엑시노스는 13시간 32분을, 그리고 스냅드래곤은 10시간 09분을 기록했다.

GSM 아레나의 배터리 지구력 점수는 엑시노스 버전이 98h (얼웨이스 온 67h)를, 스냅드래곤 버전은 87h (얼웨이스 온 63h)를 각각 기록했다.

소스: GSM 아레나

14 797

 
애플 인사이더는 수요일 (미국시간) The Register를 인용해, TSMC가 ARM과 파트너십으로 2018년 iPhone 8에 채용될 수도 있는 7nm 칩을 생산할 예정이라고 전했다. 애플의 기존 A9 칩은 삼성과 TSMC가 생산하는 14nm 혹은 16nm 공정 기반 SoC이다.

TSMC는 올해 말 10nm 칩을 생산할 예정이지만, 올 가을 출시 예정인 iPhone 7에 채용된다는 보장은 없다. 아마도 애플은 iPhone 7에 계속 TSMC의 16nm 칩을 채용할 수도 있다. 아니면 iPhone 6s처럼 TSMC와 삼성이 생산하는 칩들의 조합으로 갈 수도 있다.

TSMC의 7nm 칩을 가장 먼저 채용할 애플 제품은 2018년 iPhone 8이 될 수도 있지만, 더 중요한 것은 TSMC가 10nm 디자인을 먼저 안정화해야 한다. 그리고 아직 확정된 것은 아니지만, 이전 루머들에 의하면 2016년 iPhone 7에 채용되는 A10 칩은 TSMC가 독점 공급할 것으로 알려졌다.

소스: 애플 인사이더

0 1035

 
XDA 개발자는 월요일 (미국시간) 가장 인기있는 벤치마킹 앱들 중 하나인 안투투가 상위 10대 스마트폰 SoC들의 성능 보고서를 발표했다고 전했다. CPU 테스트에서는 갤럭시 S7, S7 에지, LG G5, Xperia X 퍼포먼스 등의 플랙십 폰들에 탑재되는 퀄컴 스냅드래곤 820 SoC가 애플 A9과 삼성 엑시노스 8890 SoC들을 간발의 차이로 제치고 1위를 차지했다.

antutu-gpus

그러나 GPU 테스트에서는 스냅드래곤의 Adreno 530 칩이 경쟁사 칩들을 큰 차이로 따돌리고 1위를 차지했다. 스냅드래곤 820은 55098점을 기록했고, 애플 A9 (PowerVR GT7600)은 38104점을 그리고 엑시노스 8890 (Mali-T880 MP12)은 37545점을 기록했다. 그러나 GPU 성능은 스크린 해상도와 직접적인 관련이 있다는 점을 염두에 두어야 한다. 스크린이 고해상도일수록 GPU 성능은 떨어지기 때문이다.

소스: XDA 개발자

0 1538

순서: 좌로부터 iPhone 6s 플러스, S7 에지, 노트 5, 모토 X 퓨어, 넥서스 6P
 
XDA 개발자 사이트는 금요일 (미국시간) 갤럭시 S7 에지 (스냅드래곤 820)를 iPhone 6s 플러스 (A9)와 노트 5 (엑시노스 7240), 모토 X 퓨어 (스냅드래곤 808), 넥서스 6P (스냅드래곤 810), HTC One M9 (스냅드래곤 810) 등과 비교해 일련의 스트레스 테스트들을 행했다.

gpu-heat

먼저 iOS와 안드로이드를 다 지원하는 크로스-플랫폼 CPU 집중적인 테스트인 Geekbench 테스트에서 갤럭시 S7의 스냅드래곤 820 프로세서는 감속의 징후가 거의 없었다. 그러나 810 SoC를 장착한 넥서스 6P와 HTC M9은 가장 높은 감속을 보였다.

iPhone 6s 플러스와 갤럭시 노트 5는 가장 좋은 열효율 (화씨 83도/섬씨 28.3도)을 보였고, S7 에지는 화씨 84도/섭씨 28.9도로 나타났다. 그러나 6P는 화씨 95도/섭씨 35도로 가장 뜨거운 폰으로 나타났고, 그 다음이 모토 X 퓨어로 화씨 88도/섭씨 31.1도를 기록했다.

퀄컴은 스냅드래곤 820 SoC의 샤로운 Adreno GPU가 40% 향상된 성능을 제공한다고 말했는데, 3DMark 테스트에서 S7 에지는 6P와 노트 5보다 한참 더 높은 성능을 보여주었다. 스냅드래곤 820으로 구동되는 S7 에지는 GPU 성능에서 다른 안드로이드 폰들을 다 제쳤다. 그러나 iPhone 6s 플러스는 이 테스트에서 가장 뜨거운 폰인 것으로 나타났고, 그 다음이 갤럭시 S7인 것으로 나타났다.

소스: XDA 개발자

0 803

 
Ars Technica는 수요일 (미국시간) 삼성이 14nm FinFET 공정으로 생산하는 중급 스마트폰 용 SoC 옥타 코어 엑시노스 7870의 양산을 발표했다고 전했다.

엑시노스 7870은 8개의 1.6GHz ARM Cortex A53 CPU 코어들, 300Mbps 카테고리 6 LTE 모뎀, 1920 x 1200 스크린 지원 미확인 GPU 등을 제공한다.

이 SoC는 삼성의 14nm FinFET 공정으로 생산되어, 성능과 에너지 효율에 큰 향상을 제공한다. 삼성은 엑시노스 7870 SoC가 양산에 들어갔다고 말해, 이 칩을 탑재한 제품들이 곧 출시될 것으로 예상된다.

소스: Ars Technica

0 795

 
퀄컴은 목요일 (미국시간) 기가빗 LTE 속도를 제공하는 새로운 스냅드래곤 X16 모뎀을 발표했다. 스냅드래곤 X16 모뎀은 WTR5975 트랜스시버와의 조합으로 최대 1Gbps의 카테고리 16 LTE 다운로드 속도를 제공한다.

현재 대부분의 스마트폰들은 300Mbps 혹은 450Mbps의 속도를 제공하고 곧 출시될 스냅드래곤 820 칩을 탑재한 스마트폰들은 600Mbps 속도를 제공한다. 그러나 스냅드래곤 X16 모뎀은 1Gbps 속도를 제공할 뿐만 아니라, 최대 150Mbps의 업로드 속도도 제공한다.

x16-lte-modem

이 모뎀은 삼성의 저전력 14nm 공정으로 생산되고, 다른 SoC와 함께 채용될 수 있도록 별도의 칩으로 OEM들에게 제공된다. 애플은 자사 A-시리즈 SoC들에 별도의 스냅드래곤 모뎀들을 사용했고, 삼성도 특정 폰들에 자사 엑시노스 SoC와 퀄컴 모뎀들을 사용했다.

그러나 퀄컴은 X16 LTE 모뎀이 내장된 스냅드래곤 SoC를 올해 말 혹은 내년 초에 출시할 것으로 예상된다.

소스: Ars Technica

1 1209

 
퀄컴은 목요일 (미국시간) 새로운 중저가형 SoC 스냅드래곤 425, 435, 625에 이러, 웨어러블과 IoT 용 SoC 스냅드래곤 웨어 2100을 발표했다. 과거에 웨어러블 업체들은 스냅드래곤 400 같은 저가형 스마트폰 용 SoC를 사용했다. 현재까지 삼성 (엑시노스 3250)과 애플 (S1)만이 자사 스마트워치 기기들에 웨어러블 전용 SoC를 사용횄다.

그러나 퀄컴이 오늘 스냅드래곤 웨어 2100을 발표함으로써 다른 업체들도 이제 웨어러블 전용 SoC를 사용할 수 있게 되었다. 스냅드래곤 웨어 2100은 800MHz 혹은 1.2GHz로 구동하는 쿼드 코어 Cortex A7 클러스트들과 Adreno 304 GPU와 400MHz LPDDR3가 내장된 SoC이다.

또한 이 SoC에는 퀄컴 X5 모뎀이 내장되어 기본 셀룰러 연결 기능을 제공해, 삼성과 애플에 비해 이점을 가지고 있다.

소스: AnadTech

0 1209

 
퀄컴은 목요일 (미국시간) 중저가형 SoC들인 스냅드래곤 425, 435, 625를 발표했다. 스냅드래곤 425는 쿼드 코어 SoC로 스냅드래곤 410과 412를 대체하고, 4개의 1.4GHz Cortex A53 코어들과 업그레이드된 모뎀과 1080p HEVC 디코드와 인코드 지원들을 제공한다.

sd425-435-625

스냅드래곤 435는 스냅드래곤 430을 대체하고, CPU는 200MHz가 올라갔고, 향상된 모뎀을 제공한다. 28nm LP 공정으로 생산되는 이 SoC는 2개의 쿼드 코어 A53 클러스터들을 장착했고, 클럭 스피드는 1.4GHz이다.

그리고 스냅드래곤 625는 스냅드래곤 615와 617을 대체하고, 2개의 쿼드 코어 A53 클러스터들을 장착했고, 클럭 스피드는 2.0GHz이다. 스냅드래곤 625는 삼성/글로벌파운드리스의 14nm FinFET LPP 공정으로 생산되고, 이는 퀄컴의 중급 SoC로서는 최초로 14nm FinFET LPP 공정으로 생산되는 칩이다.

이 SoC들은 올해 중반 파트너들에게 샘플들이 제공되고, 이 칩들을 탑재한 스마트폰들은 올 하반기에 출시될 예정이다.

소스: AnandTech

0 871

 
러시아 유명 블로거 엘다 무르타친은 목요일 (러시아 시간) 트위터를 통해, 삼성 갤럭시 S7이 75% 밝기와 LTE를켜놓은 채로 1회 중전에 2일을 사용할 수 있다고 전했다. 그리고 이를 입증하는 2개의 스크린샷들도 올렸다.

그는 최근에 갤럭시 S7이 100% 밝기로 17시간 비디오 재생이 가능한 배터리를 제공한다고 주장했다. 그리고 금주 초 아직 출시되지 않은 갤럭시 S7의 리뷰 기사도 공개했다. 그는 또한 5.1인치 갤럭시 S7이 3000mAh의 배터리를 그리고 55.인치 S7 에지는 3600mAh 배터리를 제공한다고 말했다.

아마도 무르타친의 주장이 옳다면, 이는 더 증가된 배터리 용량과 에너지 효율을 크게 향상시킨 2세대 14nm FinFET 공정 기반 SoC 때문일 수도 있다. 삼성은 이달 21일 MWC에서 갤럭시 S7과 S7 에지를 공식 발표할 예정이다. 그리고 오늘 갤럭시 S7과 S7 에지는 미국 FCC의 인증을 통과했다.

소스: 트위터/ 엘다 무르타친

0 933

 
폰아레나는 수요일 (미국시간) 삼성 갤럭시 S7의 사양이 유출된 프리젠테이션 슬라이드에 공개되었다고 전했다. 이 유출 프리젠테이션 슬라이드에 의하면, 삼성이 다음 달 MWC 2016에서 공식 발표할 갤럭시 S7의 사양은 다음과 같다.

갤럭시 S7은 5.1인치 1440p 디스플레이, 12메가픽셀 BRITECELL 카메라, 4GB 램, 스냅드래곤 820 혹은 엑시노스 8890 SoC 등을 제공하는 것으로 나타났고, 이 사양은 이미 여러 벤치마크 테스트들을 통해 공개된 것들과 동일하다.

소스: 폰아레나

0 853

 
삼성은 월요일 (미국시간) 차세대 모바일 SoC 엑시노스 8 옥타의 인포그래픽을 공개했다. 삼성의 14nm FinFET 공정 기술 기반의 엑시노스 8 옥타는 싱글 칩에 모뎀과 어플리케이션 프로세서 (AP)를 통합한 ModAP이다.

그리고 이 SoC는 삼성의 최초 커스텀 디자인 CPU 코어들을 채용한 이 프로세서는 3D 그래픽 기능을 향상시키는 GPU를 탑재했다. 임베디드된 Cat. 12 LTE 모뎀은 부드러운 비디오 스트리밍과 빠른 데이터 공유 같은 새로운 차원의 경험을 가능하게 한다.

Devices

소스: 삼성

아이티클에 팔로우 하세요.

RANDOM POSTS

0 45
  월 스트릿 저널은 수요일 (미국시각) 미국 성인의 69%가 도널드 트럼프의 트위터 사용을 지지하지 않는다고 전했다. 월 스트릿 저널과 NBC가 조사한 결과에 의하면, 대디수의 미국인이...